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Nexperia GaN FET使电动汽车更高效

 2021-04-21 08:54:20  来源:互联网 

新能源汽车讯 据外媒报道,Farnell将把Nexperia的第二代动力氮化镓场效应晶体管(GaN FET)推向市场。这类晶体管体积小,密度和效率较高,可以降低开发高效系统的成本,并具有改变电动汽车动力性能的潜力。

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(图片来源:eenews)

随着立法越来越严格,对减少C02排放的呼声愈发强烈,这些创新GaN FET给设计师们带来了便利,推动向更有效的电力转换转变,并提高电气化水平。

GaN技术克服现有技术的许多局限,如硅基IGBT和SiC,直接或间接提高整个功率转换应用的性能。在电动汽车中,GaN技术可直接减少电力损耗,避免影响车辆的续航里程。功率转换效率更高,也可以减少对散热系统的需求,帮助车辆减轻重量,降低系统复杂性,使运行里程更长,或在相同的里程内使用更小的电池。Power GaN FET也适用于数据中心、电信基础设施和工业应用。

GaN FET可在不同系统中提供优异的性能,比如硬开关AC-DC图腾柱PFC应用,全桥LLC移相(谐振或固定频率)软开关应用,所有DC-AC逆变器拓扑和使用双向开关的AC-AC矩阵变换器等。

主要优点包括:

简单的栅极驱动,低导通电阻RDS(on),快速开关;

优质体二极管(低正向电压降Vf),反向恢复电荷低;

高强度;

低动态导通电阻;

稳定的开关;

防闸极回跳(Vth ~ 4v)。

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