弗劳恩霍夫研究所成功在GaN芯片集成多个元件 为研发紧凑型车载充电器奠定基础
弗劳恩霍夫研究所成功在GaN芯片集成多个元件 为研发紧凑型车载充电器奠定基础据外媒报道，德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所（Fraunhofer IAF）的研究人员成功将电流传感器、温度传感器以及功率晶体管、续流二极管以及栅极驱动器都集成到了基于GaN的半导体芯片上，从而显著地提升了用于电压转换器的氮化镓功率集成电路（GaN power IC，即芯片）的功能。
2021-04-21